| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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STW23NM60N |
TO-247-3 | STMicroelectronics | 1220 | 闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣櫖闁跨噦鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
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STW23NM60N参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 600V 19A TO-247 包装数量：30 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：19A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 9.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2050pF @ 50V 功率 - 最大值：150W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 磁性 - 霍尔效应OMH3019S 晶体管(BJT) 2SC4617T1G DIP97C04ST 晶体管(BJT) BC337TF 配件868-906 接口 - 模拟开关STG6384QTR 端子 - 矩形CB70-S8 振荡器 - 可编程ASSVP-R-D01 陶瓷电容器K180J10C0GF5UH5 RF配件C40CO |
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